• 提升SRAM性能的传统方法
• 随着诸如医疗电子和无线传感节点等应用的兴起,低功耗芯片受到了越来越广泛的关注.这类芯片对性能和功耗要求苛刻.静态随机存储器(SRAM)作为芯片的重要组成部分,大程度上影响着芯片的面积和功耗,因此其功耗的优化成了芯片功耗优化的关键所在.本篇文章由专注于销售代理SRAM、MRAM、PSRAM等存储芯片供应商宇芯电子介绍如何利用传统方法提升SRAM性能。SRAM单元的数据保持功能是通过背靠背的反相器实现的,因此为了使单元能最稳定地保持数据,每个反相器都要工作在最优的噪声容限下.使单个反相器获得最优噪声容限的传统做法是,先把NMOS和PMOS的沟道长度固定为最小沟道长度，再调整NMOS和PMOS的宽...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,存储器,SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-11-25 16:48:00

• SRAM是什么存储器
• 静态数据随机存储器存储器（SRAM）是随机存储器存储器的一种。说白了的“静态数据”，就是指这类存储器要是维持接电源，里边存储的数据信息就可以恒常维持。相对性下，动态性随机存储器存储器（DRAM）里边所存储的数据信息就必须周期性地升级。殊不知，当能源供应终止时，SRAM存储的数据信息依然会消退，这与在关闭电源后还能存储材料的ROM或闪存芯片是不一样的。SRAM不用更新电源电路即能储存它內部储存的数据信息。而DRAM每过一段时间，要更新电池充电一次，不然內部的数据信息即会消退，因而SRAM具备较高的特性，可是SRAM也是有它的缺陷，即它的处理速度较低，功能损耗较DRAM大，同样容积的DRAM运行...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM存储器,静态随机存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-08-10 16:46:00

• 静态随机存储器SRAM面临两大问题挑战
• SRAM是可在任何CMOS工艺中“免费获得”的存储器。自CMOS诞生以来，SRAM一直是任何新CMOS工艺的开发和生产制造的技术驱动力。利用最新的所谓的“深度学习领域专用域结构”（DSA），每个芯片上的SRAM数量已达到数百兆位。这导致了两个具体挑战。接下来由专注于代理销售SRAM、SDRAM、MRAM、Flash等存储芯片的宇芯电子介绍关于SRAM两大问题挑战。第一个挑战是使用FinFET晶体管的最新CMOS技术使单元尺寸的效率越来越低。在图1中可以看到这一点，其中SRAM单元大小是CMOS技术节点的函数。图1：过去30年中6晶体管SRAM单元尺寸的缩小趋势。一旦FinFET晶体管成为CM...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,静态随机存储器,SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-07-28 16:22:00

• SRAM存储器芯片地址引脚线短路检测方法
• SRAM是控制器电路中重要的元器件，控制器硬件出厂时，要对所有元器件进行检测。对SRAM某个地址读写，可以判断SRAM芯片是否损坏，以及数据线是否虚焊。为解决现有技术中不能对SRAM芯片地址引脚线短路故障进行快速精确检测定位的问题；提供一种SRAM芯片地址引脚线短路检测方法，包括以下步骤：一、根据芯片地址引脚的排列特性，列出地址引脚间可能短路的待检引脚组；二、获得sram芯片的起始地址，并确定所有与待检引脚组相对应的相关地址；三、依次向所有相关地址中写入与起始地址中数据不同的校验数据，比较校验数据写入前后起始地址中的数据，若起始地址中的数据发生变化则与该对应相关地址的待检引脚组中引脚间具有短...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM存储器芯片,SRAM存储器,SRAM,SRAM检测 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-16 14:03:00

• SRAM数据存储原理
• 静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中，存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上，在一些大容量的SRAM中，这个比例还要更大一些。因而减小存储单元的面积变得尤为重要。一方面我们希望单元面积越小越好；而另一方面随着存储单元面积的减小，单元的稳定性又会逐渐变差。那么所谓的存储器它是靠什么原理来存储数据的呢？宇芯电子来解答。图1（a）存储单元偏置在转折电压图1（b）存储单元工作在稳态我们可以在同一坐标系中做出两个反相器的电压传输特性曲线，如图1所示。两条曲线共有三个交点：A、B与C，其中A...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM数据存储,SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-06-05 15:24:00

• SRAM市场与技术
• 相比于其他市场，汽车市场更为关注技术成熟度。目前FRAM在汽车行业的销售数量已超过8亿台，技术已相当成熟，汽车行业的客户完全可以对此放心无忧为什么要在汽车中使用“FRAM”?与EEPROM和FLASH非易失性内存相比，FRAM在EDR应用上有三大关键优势。对于那些有精确时间要求的应用来说，FRAM会立即具备非易失性。这些应用在系统发生故障时，最重要的数据，如数据记录器通常会面临风险。FRAM擦写周期为10E+14，而EEROM为10E+6，FLASH为10E+5，。因此FRAM是数据记录器的理想选择，其数据可持续写入。FRAM的读写操作功耗低，对于具有独立有限电源如电池或电容的应用来说，尤其...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM,SRAM市场，SRAM存储器 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-25 16:20:00

• 关于如何提高SRAM存储器的新方法
• SRAM是当今处理器上最普遍的内存。当芯片制造商宣布他们已经成功地将更多的电路封装到芯片上时，通常是较小的晶体管引起了人们的注意。但是连接晶体管形成电路的互连也必须收缩。IMEC的研究人员提出了一个方案，可以使SRAM保持良好的性能，并最终能够将更多的晶体管封装到集成电路中。而且还能降低导线电阻和延迟，提高SRAM的执行速度。SRAM由6个晶体管组成，控制读写的两条连线被称为位线和字线，是两条较长的连线。长而窄的连线电阻更大，延时更长。字线和位线的电阻对SRAM运行速度的提高和工作电压的降低构成了限制。按照传统方法来实现集成电路需要先在在硅衬底上构建晶体管，然后再在硅衬底上添加互连层，将晶体...
• 所属专栏： 技术交流 标签： SRAM存储器,SRAM,SRAM单元 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-05-11 15:49:00

• 存储单元结构分类
• 静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中，存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上，在一些大容量的SRAM中，这个比例还要更大一些。因而减小存储单元的面积变得尤为重要。在存储器中有大量的存储元，把它们按相同的位划分为组，组内所有的存储元同时进行读出或写入操作，这样的一组存储元称为一个存储单元。一个存储单元通常可以存放一个字节；存储单元是CPU访问存储器的基本单位.从结构上分，CMOSSRAM存储单元有电阻-晶体管结构（4T-2R存储单元）和静态六管全互补结构（6T存储单元）。图14T-...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 静态RAM,SRAM,CMOS SRAM,存储单元 发帖人：是酒窝啊 发帖时间：2020-04-30 16:59:00

• 静态随机存储SRAM工艺
• 基于传统六晶体管(6T)存储单元的静态RAM存储器块一直是许多嵌入式设计中使用ASIC/SoC实现的开发人员所采用的利器，因为这种存储器结构非常适合主流的CMOS工艺流程，不需要增添任何额外的工艺步骤。如图1a中所示的那样，基本交织耦合锁存器和有源负载单元组成了6T存储单元，这种单元可以用于容量从数位到几兆位的存储器阵列。经过精心设计的这种存储器阵列可以满足许多不同的性能要求，具体要求取决于设计师是否选用针对高性能或低功率优化过的CMOS工艺。高性能工艺生产的SRAM块的存取时间在130nm工艺时可以轻松低于5ns，而低功率工艺生产的存储器块的存取时间一-般要大于10ns。存储单元的静态特性...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 静态随机存储SRAM,SRAM,SRAM工艺 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-03-02 16:26:00

• 静态随机存储器SRAM存储数据原理
• RAM主要的作用就是存储代码和数据供中央处理器在需要的时候进行调用。对于RAM等存储器来说仍是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。对于RAM存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。因为存储器中的存储空间是如果前面提到的存放图书的书架一样通过一定的规则定义的，我们可以通过这个规则来把数据存放到存储器上相应的位置，而进行这种定位的工作就要依靠地址总线来实现了。对于中央处理器来说，RAM就象是一条长长的有很多空格的细线，每个空格都有一个唯一的地址与之相对应。如果中央处理器想要从RAM中调用数据，它首先是需要给地址总线发送地址数据定位要存取的数据，然后等待若...
• 所属专栏： 技术交流 标签： 静态随机存储器,SRAM,SRAM存储数据原理 发帖人：英尚微电子 发帖时间：2020-02-21 16:19:00